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NSS30100LT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

NSS30100LT1G-HXY

这款PNP型三极管(BJT)具备1A的集电极电流(IC)能力, 适用于需要中等功率处理的电路设计。 其最大集电极-发射极电压(VCEO)为30V, 能够适应多种电源条件下的稳定工作需求。 该三极管的直流电流增益(HFE)范围在100到300之间, 确保了优秀的放大性能。 同时, 它拥有100MHz的过渡频率(FT), 使其在高频应用中表现优异。 此款三极管非常适合用于构建高效能信号放大和切换电路, 如无线通信设备或智能家居装置中的关键组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

100

货期

现货

NSS30100LT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存100

NSS30100LT1G-HXY概述

这款PNP型三极管(BJT)具备1A的集电极电流(IC)能力, 适用于需要中等功率处理的电路设计。 其最大集电极-发射极电压(VCEO)为30V, 能够适应多种电源条件下的稳定工作需求。 该三极管的直流电流增益(HFE)范围在100到300之间, 确保了优秀的放大性能。 同时, 它拥有100MHz的过渡频率(FT), 使其在高频应用中表现优异。 此款三极管非常适合用于构建高效能信号放大和切换电路, 如无线通信设备或智能家居装置中的关键组件。

NSS30100LT1G-HXY特性

暂无产品特性。

NSS30100LT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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