NSS30100LT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
NSS30100LT1G-HXY
这款PNP型三极管(BJT)具备1A的集电极电流(IC)能力, 适用于需要中等功率处理的电路设计。 其最大集电极-发射极电压(VCEO)为30V, 能够适应多种电源条件下的稳定工作需求。 该三极管的直流电流增益(HFE)范围在100到300之间, 确保了优秀的放大性能。 同时, 它拥有100MHz的过渡频率(FT), 使其在高频应用中表现优异。 此款三极管非常适合用于构建高效能信号放大和切换电路, 如无线通信设备或智能家居装置中的关键组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
100
货期
现货
NSS30100LT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
NSS30100LT1G-HXY概述
这款PNP型三极管(BJT)具备1A的集电极电流(IC)能力, 适用于需要中等功率处理的电路设计。 其最大集电极-发射极电压(VCEO)为30V, 能够适应多种电源条件下的稳定工作需求。 该三极管的直流电流增益(HFE)范围在100到300之间, 确保了优秀的放大性能。 同时, 它拥有100MHz的过渡频率(FT), 使其在高频应用中表现优异。 此款三极管非常适合用于构建高效能信号放大和切换电路, 如无线通信设备或智能家居装置中的关键组件。
NSS30100LT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NSS30100LT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
