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NSRLL30XV2T5G-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

NSRLL30XV2T5G-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的平均正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)低至1μA, 有助于提升系统能效。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出电路等场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

80

货期

现货

NSRLL30XV2T5G-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存80

NSRLL30XV2T5G-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的平均正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)低至1μA, 有助于提升系统能效。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出电路等场景。

NSRLL30XV2T5G-HXY特性

暂无产品特性。

NSRLL30XV2T5G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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