NSR1020MW2T1G-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
NSR1020MW2T1G-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为20V。 其正向压降(VF)典型值为0.45V, 在导通时可有效降低功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA。 器件具备25A的正向浪涌电流(IFSM)承受能力, 适用于低压整流、高频开关、电源极性保护及便携式电子设备中的续流和钳位功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
7,390
货期
现货
NSR1020MW2T1G-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 7390 |
NSR1020MW2T1G-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为20V。 其正向压降(VF)典型值为0.45V, 在导通时可有效降低功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA。 器件具备25A的正向浪涌电流(IFSM)承受能力, 适用于低压整流、高频开关、电源极性保护及便携式电子设备中的续流和钳位功能。
NSR1020MW2T1G-HXY特性
暂无产品特性。
NSR1020MW2T1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
