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NSR1020MW2T1G-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

NSR1020MW2T1G-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为20V。 其正向压降(VF)典型值为0.45V, 在导通时可有效降低功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA。 器件具备25A的正向浪涌电流(IFSM)承受能力, 适用于低压整流、高频开关、电源极性保护及便携式电子设备中的续流和钳位功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

7,390

货期

现货

NSR1020MW2T1G-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存7390

NSR1020MW2T1G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为20V。 其正向压降(VF)典型值为0.45V, 在导通时可有效降低功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA。 器件具备25A的正向浪涌电流(IFSM)承受能力, 适用于低压整流、高频开关、电源极性保护及便携式电子设备中的续流和钳位功能。

NSR1020MW2T1G-HXY特性

暂无产品特性。

NSR1020MW2T1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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