NSR0320MW2T1G-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
NSR0320MW2T1G-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的额定正向电流和20V的最大反向电压。 其正向压降典型值为0.45V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为1000μA。 器件可承受高达25A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及电源极性保护等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
30
货期
现货
NSR0320MW2T1G-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 30 |
NSR0320MW2T1G-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的额定正向电流和20V的最大反向电压。 其正向压降典型值为0.45V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为1000μA。 器件可承受高达25A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及电源极性保护等电路场合。
NSR0320MW2T1G-HXY特性
暂无产品特性。
NSR0320MW2T1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
