NSR0240V2T1G-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
NSR0240V2T1G-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为0.35A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出优异的反向阻断能力。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、高频开关电路及信号解调等对效率和响应速度有要求的电子系统中, 提供可靠的单向导电性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
5
货期
现货
NSR0240V2T1G-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
NSR0240V2T1G-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为0.35A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出优异的反向阻断能力。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、高频开关电路及信号解调等对效率和响应速度有要求的电子系统中, 提供可靠的单向导电性能。
NSR0240V2T1G-HXY特性
暂无产品特性。
NSR0240V2T1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
