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NSR0240V2T1G-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

NSR0240V2T1G-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为0.35A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出优异的反向阻断能力。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、高频开关电路及信号解调等对效率和响应速度有要求的电子系统中, 提供可靠的单向导电性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

5

货期

现货

NSR0240V2T1G-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存5

NSR0240V2T1G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为0.35A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出优异的反向阻断能力。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、高频开关电路及信号解调等对效率和响应速度有要求的电子系统中, 提供可靠的单向导电性能。

NSR0240V2T1G-HXY特性

暂无产品特性。

NSR0240V2T1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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