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NSR0230M2T5G-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

NSR0230M2T5G-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.45V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为0.5μA, 表现出优异的反向截止特性。 器件的正向浪涌电流(IFSM)为0.1A, 适用于对功耗敏感的整流、信号检波、电源管理及便携式电子设备中的高效能电路。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

40

货期

现货

NSR0230M2T5G-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存40

NSR0230M2T5G-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.45V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为0.5μA, 表现出优异的反向截止特性。 器件的正向浪涌电流(IFSM)为0.1A, 适用于对功耗敏感的整流、信号检波、电源管理及便携式电子设备中的高效能电路。

NSR0230M2T5G-HXY特性

暂无产品特性。

NSR0230M2T5G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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