NSR0230M2T5G-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
NSR0230M2T5G-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.45V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为0.5μA, 表现出优异的反向截止特性。 器件的正向浪涌电流(IFSM)为0.1A, 适用于对功耗敏感的整流、信号检波、电源管理及便携式电子设备中的高效能电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
40
货期
现货
NSR0230M2T5G-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
NSR0230M2T5G-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.45V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为0.5μA, 表现出优异的反向截止特性。 器件的正向浪涌电流(IFSM)为0.1A, 适用于对功耗敏感的整流、信号检波、电源管理及便携式电子设备中的高效能电路。
NSR0230M2T5G-HXY特性
暂无产品特性。
NSR0230M2T5G-HXY应用领域
暂无应用领域。
