NSI6602A-DLAR
IC
LGA-13
可供量大可议
NSI6602A-DLAR
NSI6602 是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动集成电路， 可用于驱动开关频率高达 2MHz 的功率晶体管。 每个输出端可提供 4A 的灌电流和 6A 的拉电流峰值， 传播延迟仅 25ns， 最大延迟匹配为 5ns。 NSI6602 在 5*5mm LGA13 封装中可提供符合 UL1577 标准的 2500Vrms 隔离电压， 在 SOIC-16 窄体封装中可提供 3000Vrms 隔离电压， 在 SOIC-16 或 SOIC-14 宽体封装中可提供 5700Vrms 隔离电压
品牌
NOVOSENSE
封装
LGA-13
库存
4,197
货期
现货
NSI6602A-DLAR参数
| 封装 | LGA-13 |
|---|---|
| 品牌 | NOVOSENSE(纳芯微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 隔离式栅极驱动器 |
|---|---|
| 库存 | 4197 |
NSI6602A-DLAR概述
NSI6602 是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动集成电路， 可用于驱动开关频率高达 2MHz 的功率晶体管。 每个输出端可提供 4A 的灌电流和 6A 的拉电流峰值， 传播延迟仅 25ns， 最大延迟匹配为 5ns。 NSI6602 在 5*5mm LGA13 封装中可提供符合 UL1577 标准的 2500Vrms 隔离电压， 在 SOIC-16 窄体封装中可提供 3000Vrms 隔离电压， 在 SOIC-16 或 SOIC-14 宽体封装中可提供 5700Vrms 隔离电压
NSI6602A-DLAR特性
暂无产品特性。
NSI6602A-DLAR应用领域
暂无应用领域。