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NSF03B60-HXY
IC

SMC

可供量大可议

NSF03B60-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 体现出良好的导通效率与阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达100A, 适用于高频开关电源、AC-DC或DC-DC转换器以及对恢复速度和能效有较高要求的整流应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC

库存

40

货期

现货

NSF03B60-HXY参数

封装SMC
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类快恢复/高效率二极管
库存40

NSF03B60-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 体现出良好的导通效率与阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达100A, 适用于高频开关电源、AC-DC或DC-DC转换器以及对恢复速度和能效有较高要求的整流应用。

NSF03B60-HXY特性

暂无产品特性。

NSF03B60-HXY应用领域

暂无应用领域。

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