NSF03B60-HXY
IC
SMC
可供量大可议
NSF03B60-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 体现出良好的导通效率与阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达100A, 适用于高频开关电源、AC-DC或DC-DC转换器以及对恢复速度和能效有较高要求的整流应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC
库存
40
货期
现货
NSF03B60-HXY参数
| 封装 | SMC |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
NSF03B60-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 体现出良好的导通效率与阻断能力。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达100A, 适用于高频开关电源、AC-DC或DC-DC转换器以及对恢复速度和能效有较高要求的整流应用。
NSF03B60-HXY特性
暂无产品特性。
NSF03B60-HXY应用领域
暂无应用领域。
