NSB8JT-E3/81
IC
TO-263AB
可供量大可议
NSB8JT-E3/81
特性：功率封装。 玻璃钝化颗粒芯片结。 低正向压降。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最高峰值245°C（适用于TO-263AB封装）。 浸焊最高275°C， 最长10秒， 符合JESD 22-B106（适用于TO-220AC和ITO-220AC封装）。 应用：电源、逆变器、转换器的通用整流。 续流二极管应用
品牌
VISHAY
封装
TO-263AB
库存
5
货期
现货
NSB8JT-E3/81参数
| 封装 | TO-263AB |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 通用二极管 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
NSB8JT-E3/81概述
特性：功率封装。 玻璃钝化颗粒芯片结。 低正向压降。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最高峰值245°C（适用于TO-263AB封装）。 浸焊最高275°C， 最长10秒， 符合JESD 22-B106（适用于TO-220AC和ITO-220AC封装）。 应用：电源、逆变器、转换器的通用整流。 续流二极管应用
NSB8JT-E3/81特性
暂无产品特性。
NSB8JT-E3/81应用领域
暂无应用领域。