库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
NRVTS2H60ESFT3G-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

NRVTS2H60ESFT3G-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和效率有要求的整流、续流及箝位电路, 常见于消费类电子、电源适配器及便携设备中的能量转换环节。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

120

货期

现货

NRVTS2H60ESFT3G-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存120

NRVTS2H60ESFT3G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和效率有要求的整流、续流及箝位电路, 常见于消费类电子、电源适配器及便携设备中的能量转换环节。

NRVTS2H60ESFT3G-HXY特性

暂无产品特性。

NRVTS2H60ESFT3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件