NRVTS2H60ESFT3G-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
NRVTS2H60ESFT3G-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和效率有要求的整流、续流及箝位电路, 常见于消费类电子、电源适配器及便携设备中的能量转换环节。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
120
货期
现货
NRVTS2H60ESFT3G-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 120 |
NRVTS2H60ESFT3G-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和效率有要求的整流、续流及箝位电路, 常见于消费类电子、电源适配器及便携设备中的能量转换环节。
NRVTS2H60ESFT3G-HXY特性
暂无产品特性。
NRVTS2H60ESFT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
