NRVTS10100PFST3G-HXY
IC
TO-277
可供量大可议
NRVTS10100PFST3G-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.67V, 反向漏电流(IR)典型值为100μA, 并可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 低VF有助于减少导通损耗, 适合用于高效率要求的电源整流、直流-直流转换及各类消费类电子设备中的续流与保护电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-277
库存
198
货期
现货
NRVTS10100PFST3G-HXY参数
| 封装 | TO-277 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 198 |
NRVTS10100PFST3G-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.67V, 反向漏电流(IR)典型值为100μA, 并可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 低VF有助于减少导通损耗, 适合用于高效率要求的电源整流、直流-直流转换及各类消费类电子设备中的续流与保护电路。
NRVTS10100PFST3G-HXY特性
暂无产品特性。
NRVTS10100PFST3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
