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NRVTS10100PFST3G-HXY
IC

TO-277

可供量大可议

NRVTS10100PFST3G-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.67V, 反向漏电流(IR)典型值为100μA, 并可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 低VF有助于减少导通损耗, 适合用于高效率要求的电源整流、直流-直流转换及各类消费类电子设备中的续流与保护电路。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-277

库存

198

货期

现货

NRVTS10100PFST3G-HXY参数

封装TO-277
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存198

NRVTS10100PFST3G-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.67V, 反向漏电流(IR)典型值为100μA, 并可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 低VF有助于减少导通损耗, 适合用于高效率要求的电源整流、直流-直流转换及各类消费类电子设备中的续流与保护电路。

NRVTS10100PFST3G-HXY特性

暂无产品特性。

NRVTS10100PFST3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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