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NRVHP260SFT3G-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

NRVHP260SFT3G-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至5μA, 展现出良好的导通效率与阻断能力。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)达30A, 适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复速度和能效有较高要求的电子系统中, 可在紧凑设计下维持稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

75

货期

现货

NRVHP260SFT3G-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类通用二极管
库存75

NRVHP260SFT3G-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至5μA, 展现出良好的导通效率与阻断能力。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)达30A, 适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复速度和能效有较高要求的电子系统中, 可在紧凑设计下维持稳定运行。

NRVHP260SFT3G-HXY特性

暂无产品特性。

NRVHP260SFT3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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