NRVHP260SFT3G-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
NRVHP260SFT3G-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至5μA, 展现出良好的导通效率与阻断能力。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)达30A, 适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复速度和能效有较高要求的电子系统中, 可在紧凑设计下维持稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
75
货期
现货
NRVHP260SFT3G-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 通用二极管 |
|---|---|
| 库存 | 75 |
NRVHP260SFT3G-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)低至5μA, 展现出良好的导通效率与阻断能力。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)达30A, 适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复速度和能效有较高要求的电子系统中, 可在紧凑设计下维持稳定运行。
NRVHP260SFT3G-HXY特性
暂无产品特性。
NRVHP260SFT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
