NRVBS540T3G-HXY
IC
SMC
可供量大可议
NRVBS540T3G-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与续流场景, 常见于开关电源、适配器及各类高频电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC
库存
90
货期
现货
NRVBS540T3G-HXY参数
| 封装 | SMC |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 90 |
NRVBS540T3G-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与续流场景, 常见于开关电源、适配器及各类高频电路中。
NRVBS540T3G-HXY特性
暂无产品特性。
NRVBS540T3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
