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NRVBS4201T3G-HXY
IC

SMC

可供量大可议

NRVBS4201T3G-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向电压达200V, 适用于较高电压环境下的整流需求。 其正向压降为0.92V, 在保证耐压能力的同时维持较低的导通损耗; 反向漏电流为20μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件具备175A的非重复峰值正向浪涌电流承受能力, 适合用于开关电源、高频整流及对瞬态电流耐受性要求较高的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC

库存

94

货期

现货

NRVBS4201T3G-HXY参数

封装SMC
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存94

NRVBS4201T3G-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向电压达200V, 适用于较高电压环境下的整流需求。 其正向压降为0.92V, 在保证耐压能力的同时维持较低的导通损耗; 反向漏电流为20μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件具备175A的非重复峰值正向浪涌电流承受能力, 适合用于开关电源、高频整流及对瞬态电流耐受性要求较高的电子电路中。

NRVBS4201T3G-HXY特性

暂无产品特性。

NRVBS4201T3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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