NRVBS4201T3G-HXY
IC
SMC
可供量大可议
NRVBS4201T3G-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向电压达200V, 适用于较高电压环境下的整流需求。 其正向压降为0.92V, 在保证耐压能力的同时维持较低的导通损耗; 反向漏电流为20μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件具备175A的非重复峰值正向浪涌电流承受能力, 适合用于开关电源、高频整流及对瞬态电流耐受性要求较高的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC
库存
94
货期
现货
NRVBS4201T3G-HXY参数
| 封装 | SMC |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 94 |
NRVBS4201T3G-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向电压达200V, 适用于较高电压环境下的整流需求。 其正向压降为0.92V, 在保证耐压能力的同时维持较低的导通损耗; 反向漏电流为20μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件具备175A的非重复峰值正向浪涌电流承受能力, 适合用于开关电源、高频整流及对瞬态电流耐受性要求较高的电子电路中。
NRVBS4201T3G-HXY特性
暂无产品特性。
NRVBS4201T3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
