NRVBS360BNT3G
IC
SMB
可供量大可议
NRVBS360BNT3G
该器件采用大面积金属硅功率二极管中的肖特基势垒原理。 先进的几何结构采用外延结构, 具有氧化物钝化和金属覆盖层接触。 非常适合在对尺寸和重量要求严格的表面贴装应用中进行低压、高频整流, 或用作续流和极性保护二极管。
品牌
onsemi
封装
SMB
库存
1
货期
现货
NRVBS360BNT3G参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
NRVBS360BNT3G概述
该器件采用大面积金属硅功率二极管中的肖特基势垒原理。 先进的几何结构采用外延结构, 具有氧化物钝化和金属覆盖层接触。 非常适合在对尺寸和重量要求严格的表面贴装应用中进行低压、高频整流, 或用作续流和极性保护二极管。
NRVBS360BNT3G特性
暂无产品特性。
NRVBS360BNT3G应用领域
暂无应用领域。
