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NRVBS3100T3G-HXY
IC

SMC

可供量大可议

NRVBS3100T3G-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为20μA, 有助于提升系统能效。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及各类低压高频电路中, 提供可靠的单向导通特性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC

库存

90

货期

现货

NRVBS3100T3G-HXY参数

封装SMC
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存90

NRVBS3100T3G-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为20μA, 有助于提升系统能效。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及各类低压高频电路中, 提供可靠的单向导通特性。

NRVBS3100T3G-HXY特性

暂无产品特性。

NRVBS3100T3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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