NRVBM2H100T3G
IC
DO-216AA
可供量大可议
NRVBM2H100T3G
肖特基功率贴片采用肖特基势垒原理, 具有势垒金属和外延结构, 可实现最佳的正向压降-反向电流权衡。 先进的封装技术提供了高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。 凭借其独特的散热片设计, 功率贴片的热性能与 SMA 相同, 而占地面积小 50%。 由于其体积小, 非常适合用于便携式和电池供电的产品。
品牌
onsemi
封装
DO-216AA
库存
640
货期
现货
NRVBM2H100T3G参数
| 封装 | DO-216AA |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 640 |
NRVBM2H100T3G概述
肖特基功率贴片采用肖特基势垒原理, 具有势垒金属和外延结构, 可实现最佳的正向压降-反向电流权衡。 先进的封装技术提供了高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。 凭借其独特的散热片设计, 功率贴片的热性能与 SMA 相同, 而占地面积小 50%。 由于其体积小, 非常适合用于便携式和电池供电的产品。
NRVBM2H100T3G特性
暂无产品特性。
NRVBM2H100T3G应用领域
暂无应用领域。
