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NRVBAF360T3G
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IC

SMA-FL

NRVBAF360T3G

该器件在大面积金属-硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。 先进的几何结构采用外延结构, 具有氧化物钝化和金属覆盖接触。 非常适合用于低电压、高频整流, 或作为表面贴装应用中的续流和极性保护二极管, 在这些应用中, 紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

品牌

onsemi

封装

SMA-FL

交期

现货

批次

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NRVBAF360T3G参数

封装SMA-FL
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
正向压降(Vf)630mV@4A
整流电流4A
工作结温范围-65℃~+150℃
商品名称电压:60V 电流:4A
包装方式编带
商品类型肖特基二极管
分类肖特基二极管
库存5000
二极管配置1个独立式
直流反向耐压(Vr)60V
反向电流(Ir)30uA@60V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)125A
商品型号NRVBAF360T3G
单位个
商品重量7.8e-05

NRVBAF360T3G概述

该器件在大面积金属-硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。 先进的几何结构采用外延结构, 具有氧化物钝化和金属覆盖接触。 非常适合用于低电压、高频整流, 或作为表面贴装应用中的续流和极性保护二极管, 在这些应用中, 紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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