NRVBAF260T3G
IC
SMA-FL
可供量大可议
NRVBAF260T3G
该器件采用大面积金属硅功率二极管中的肖特基势垒原理。 先进的几何结构采用外延结构, 具有氧化物钝化和金属覆盖层接触。 非常适合用于低电压、高频整流, 或在对系统尺寸和重量要求严格的表面贴装应用中用作续流和极性保护二极管。
品牌
onsemi
封装
SMA-FL
库存
825
货期
现货
NRVBAF260T3G参数
| 封装 | SMA-FL |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 825 |
NRVBAF260T3G概述
该器件采用大面积金属硅功率二极管中的肖特基势垒原理。 先进的几何结构采用外延结构, 具有氧化物钝化和金属覆盖层接触。 非常适合用于低电压、高频整流, 或在对系统尺寸和重量要求严格的表面贴装应用中用作续流和极性保护二极管。
NRVBAF260T3G特性
暂无产品特性。
NRVBAF260T3G应用领域
暂无应用领域。
