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NRVBAF260T3G
IC

SMA-FL

可供量大可议

NRVBAF260T3G

该器件采用大面积金属硅功率二极管中的肖特基势垒原理。 先进的几何结构采用外延结构, 具有氧化物钝化和金属覆盖层接触。 非常适合用于低电压、高频整流, 或在对系统尺寸和重量要求严格的表面贴装应用中用作续流和极性保护二极管。

品牌

onsemi

封装

SMA-FL

库存

825

货期

现货

NRVBAF260T3G参数

封装SMA-FL
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存825

NRVBAF260T3G概述

该器件采用大面积金属硅功率二极管中的肖特基势垒原理。 先进的几何结构采用外延结构, 具有氧化物钝化和金属覆盖层接触。 非常适合用于低电压、高频整流, 或在对系统尺寸和重量要求严格的表面贴装应用中用作续流和极性保护二极管。

NRVBAF260T3G特性

暂无产品特性。

NRVBAF260T3G应用领域

暂无应用领域。

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