NRVBA2H100T3G-VF01-HXY
IC
SMA
可供量大可议
NRVBA2H100T3G-VF01-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通时可有效控制功耗; 反向漏电流(IR)最大为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件能承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、低压电源转换及对效率与热管理有较高要求的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
197
货期
现货
NRVBA2H100T3G-VF01-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 197 |
NRVBA2H100T3G-VF01-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通时可有效控制功耗; 反向漏电流(IR)最大为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件能承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、低压电源转换及对效率与热管理有较高要求的电子电路中。
NRVBA2H100T3G-VF01-HXY特性
暂无产品特性。
NRVBA2H100T3G-VF01-HXY应用领域
暂无应用领域。
