NRVBA120ET3G-VF01-HXY
IC
SMA
可供量大可议
NRVBA120ET3G-VF01-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流为500μA。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于低压电源整流、信号箝位、电池反接保护及高频开关电路等场合, 尤其适合对效率和热性能有明确要求的应用环境。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
170
货期
现货
NRVBA120ET3G-VF01-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 170 |
NRVBA120ET3G-VF01-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流为500μA。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于低压电源整流、信号箝位、电池反接保护及高频开关电路等场合, 尤其适合对效率和热性能有明确要求的应用环境。
NRVBA120ET3G-VF01-HXY特性
暂无产品特性。
NRVBA120ET3G-VF01-HXY应用领域
暂无应用领域。
