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NRVBA120ET3G-VF01-HXY
IC

SMA

可供量大可议

NRVBA120ET3G-VF01-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流为500μA。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于低压电源整流、信号箝位、电池反接保护及高频开关电路等场合, 尤其适合对效率和热性能有明确要求的应用环境。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

170

货期

现货

NRVBA120ET3G-VF01-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存170

NRVBA120ET3G-VF01-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流为500μA。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于低压电源整流、信号箝位、电池反接保护及高频开关电路等场合, 尤其适合对效率和热性能有明确要求的应用环境。

NRVBA120ET3G-VF01-HXY特性

暂无产品特性。

NRVBA120ET3G-VF01-HXY应用领域

暂无应用领域。

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