NRVB30H100MFST1G
IC
DFN-5(5x6)
可供量大可议
NRVB30H100MFST1G
特性：低功率损耗/高效率。 新封装提供板载安装后检查和探测能力。 保护环用于应力保护。 低正向压降。 175℃工作结温。 可选择可焊侧翼。 应用：紧凑型便携式消费应用中的输出整流。 与感性负载一起使用的续流二极管
品牌
onsemi
封装
DFN-5(5x6)
库存
44
货期
现货
NRVB30H100MFST1G参数
| 封装 | DFN-5(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 44 |
NRVB30H100MFST1G概述
特性：低功率损耗/高效率。 新封装提供板载安装后检查和探测能力。 保护环用于应力保护。 低正向压降。 175℃工作结温。 可选择可焊侧翼。 应用：紧凑型便携式消费应用中的输出整流。 与感性负载一起使用的续流二极管
NRVB30H100MFST1G特性
暂无产品特性。
NRVB30H100MFST1G应用领域
暂无应用领域。