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NRVB140SFT3G-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

NRVB140SFT3G-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流(IR)为200μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于低压电源整流、高频开关电路及对效率和热性能有要求的便携式电子设备中的续流与保护功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

40

货期

现货

NRVB140SFT3G-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存40

NRVB140SFT3G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流(IR)为200μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于低压电源整流、高频开关电路及对效率和热性能有要求的便携式电子设备中的续流与保护功能。

NRVB140SFT3G-HXY特性

暂无产品特性。

NRVB140SFT3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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