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NRVB120ESFT3G-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

NRVB120ESFT3G-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的额定正向电流和20V的最大反向电压, 正向压降典型值为0.55V, 体现出较低的导通损耗。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率敏感的低压整流、高频开关电源中的续流路径以及信号解调等场景。 其低VF特性有助于在紧凑型电子系统中减少发热, 提升运行稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

198

货期

现货

NRVB120ESFT3G-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存198

NRVB120ESFT3G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的额定正向电流和20V的最大反向电压, 正向压降典型值为0.55V, 体现出较低的导通损耗。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率敏感的低压整流、高频开关电源中的续流路径以及信号解调等场景。 其低VF特性有助于在紧凑型电子系统中减少发热, 提升运行稳定性。

NRVB120ESFT3G-HXY特性

暂无产品特性。

NRVB120ESFT3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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