NRVB120ESFT3G-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
NRVB120ESFT3G-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的额定正向电流和20V的最大反向电压, 正向压降典型值为0.55V, 体现出较低的导通损耗。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率敏感的低压整流、高频开关电源中的续流路径以及信号解调等场景。 其低VF特性有助于在紧凑型电子系统中减少发热, 提升运行稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
198
货期
现货
NRVB120ESFT3G-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 198 |
NRVB120ESFT3G-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的额定正向电流和20V的最大反向电压, 正向压降典型值为0.55V, 体现出较低的导通损耗。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率敏感的低压整流、高频开关电源中的续流路径以及信号解调等场景。 其低VF特性有助于在紧凑型电子系统中减少发热, 提升运行稳定性。
NRVB120ESFT3G-HXY特性
暂无产品特性。
NRVB120ESFT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
