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NRVB0540T3G-HXY
IC

SOD-123

可供量大可议

NRVB0540T3G-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.5A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在25℃环境下反向漏电流为80μA, 具备较低的导通损耗与良好的能效表现。 器件可承受高达5.5A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压输出场合, 适合在紧凑型电子设备中实现高效能量转换与保护功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123

库存

180

货期

现货

NRVB0540T3G-HXY参数

封装SOD-123
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存180

NRVB0540T3G-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.5A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在25℃环境下反向漏电流为80μA, 具备较低的导通损耗与良好的能效表现。 器件可承受高达5.5A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压输出场合, 适合在紧凑型电子设备中实现高效能量转换与保护功能。

NRVB0540T3G-HXY特性

暂无产品特性。

NRVB0540T3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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