NRVB0540T3G-HXY
IC
SOD-123
可供量大可议
NRVB0540T3G-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.5A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在25℃环境下反向漏电流为80μA, 具备较低的导通损耗与良好的能效表现。 器件可承受高达5.5A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压输出场合, 适合在紧凑型电子设备中实现高效能量转换与保护功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123
库存
180
货期
现货
NRVB0540T3G-HXY参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
NRVB0540T3G-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.5A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在25℃环境下反向漏电流为80μA, 具备较低的导通损耗与良好的能效表现。 器件可承受高达5.5A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压输出场合, 适合在紧凑型电子设备中实现高效能量转换与保护功能。
NRVB0540T3G-HXY特性
暂无产品特性。
NRVB0540T3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
