NRVB0540T1G-HXY
IC
SOD-123
可供量大可议
NRVB0540T1G-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.5A的正向电流(IF)和40V的反向电压(VR)额定值。 其正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下可有效减少能量损耗; 反向漏电流(IR)为80μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件能承受高达5.5A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路, 常见于消费电子、电源适配器和便携设备的电源管理模块中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123
库存
175
货期
现货
NRVB0540T1G-HXY参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 175 |
NRVB0540T1G-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.5A的正向电流(IF)和40V的反向电压(VR)额定值。 其正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下可有效减少能量损耗; 反向漏电流(IR)为80μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件能承受高达5.5A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路, 常见于消费电子、电源适配器和便携设备的电源管理模块中。
NRVB0540T1G-HXY特性
暂无产品特性。
NRVB0540T1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
