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NRVB0540T1G-HXY
IC

SOD-123

可供量大可议

NRVB0540T1G-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.5A的正向电流(IF)和40V的反向电压(VR)额定值。 其正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下可有效减少能量损耗; 反向漏电流(IR)为80μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件能承受高达5.5A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路, 常见于消费电子、电源适配器和便携设备的电源管理模块中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123

库存

175

货期

现货

NRVB0540T1G-HXY参数

封装SOD-123
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存175

NRVB0540T1G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.5A的正向电流(IF)和40V的反向电压(VR)额定值。 其正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下可有效减少能量损耗; 反向漏电流(IR)为80μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件能承受高达5.5A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路, 常见于消费电子、电源适配器和便携设备的电源管理模块中。

NRVB0540T1G-HXY特性

暂无产品特性。

NRVB0540T1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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