NP6003MR-N-G
IC
SOT-23
可供量大可议
NP6003MR-N-G
NP6003MR采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。
品牌
natlinear
封装
SOT-23
库存
360
货期
现货
NP6003MR-N-G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | natlinear(南麟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 360 |
NP6003MR-N-G概述
NP6003MR采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。
NP6003MR-N-G特性
暂无产品特性。
NP6003MR-N-G应用领域
暂无应用领域。