NP4419SR-G
IC
SOP-8
可供量大可议
NP4419SR-G
NP4419SR采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于负载开关和电池保护应用。
品牌
natlinear
封装
SOP-8
库存
4,000
货期
现货
NP4419SR-G参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | natlinear(南麟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NP4419SR-G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000133 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4000 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.67V |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
| 商品名称 | 30V P沟道增强型MOSFET |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NP4419SR-G概述
NP4419SR采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于负载开关和电池保护应用。
NP4419SR-G特性
- 漏源电压VDS = -30 V, 漏极电流ID = -9.0 A
- 栅源电压VGS = -10 V时, 导通电阻RDS(ON)(典型值) = 16 mΩ
- 栅源电压VGS = -4.5 V时, 导通电阻RDS(ON)(典型值) = 21 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
NP4419SR-G应用领域
- 电池保护
- 负载开关