NP36P06KDG-E1-AY-JSM
IC
TO-263
可供量大可议
NP36P06KDG-E1-AY-JSM
P沟道 耐压:-60V 电流:-50A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-50A 功率(Pd):270W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):16.5mΩ@10V, 20A
品牌
JSMSEMI
封装
TO-263
库存
770
货期
现货
NP36P06KDG-E1-AY-JSM参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 770 |
NP36P06KDG-E1-AY-JSM概述
P沟道 耐压:-60V 电流:-50A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-50A 功率(Pd):270W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):16.5mΩ@10V, 20A
NP36P06KDG-E1-AY-JSM特性
暂无产品特性。
NP36P06KDG-E1-AY-JSM应用领域
暂无应用领域。