NP2N10MR-G
IC
SOT-23-3
可供量大可议
NP2N10MR-G
NP2N10MR采用先进的沟槽技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计， 可实现超低导通电阻。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
natlinear
封装
SOT-23-3
库存
10
货期
现货
NP2N10MR-G参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | natlinear(南麟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
NP2N10MR-G概述
NP2N10MR采用先进的沟槽技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计， 可实现超低导通电阻。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
NP2N10MR-G特性
暂无产品特性。
NP2N10MR-G应用领域
暂无应用领域。