NP2305MR
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
NP2305MR
NP2305MR采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
natlinear
封装
SOT-23-3L
库存
1,110
货期
现货
NP2305MR参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | natlinear(南麟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1110 |
NP2305MR概述
NP2305MR采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
NP2305MR特性
暂无产品特性。
NP2305MR应用领域
暂无应用领域。