NP2301AMR-G
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
NP2301AMR-G
NP2301A采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
natlinear
封装
SOT-23-3L
库存
2,440
货期
现货
NP2301AMR-G参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | natlinear(南麟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2440 |
NP2301AMR-G概述
NP2301A采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
NP2301AMR-G特性
暂无产品特性。
NP2301AMR-G应用领域
暂无应用领域。