NP2300MR-Y-G
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
NP2300MR-Y-G
NP2300MR-Y采用先进的沟槽技术， 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和用于超低导通电阻的高密度单元设计。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
natlinear
封装
SOT-23-3L
库存
2,900
货期
现货
NP2300MR-Y-G参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | natlinear(南麟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2900 |
NP2300MR-Y-G概述
NP2300MR-Y采用先进的沟槽技术， 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和用于超低导通电阻的高密度单元设计。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
NP2300MR-Y-G特性
暂无产品特性。
NP2300MR-Y-G应用领域
暂无应用领域。