NP2018DR
IC
DFN-6-EP(2x2)
可供量大可议
NP2018DR
NP2018DR采用先进的沟槽技术， 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并且在低至2.5V的栅极电压下也能正常工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
natlinear
封装
DFN-6-EP(2x2)
库存
1,210
货期
现货
NP2018DR参数
| 封装 | DFN-6-EP(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | natlinear(南麟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1210 |
NP2018DR概述
NP2018DR采用先进的沟槽技术， 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并且在低至2.5V的栅极电压下也能正常工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
NP2018DR特性
暂无产品特性。
NP2018DR应用领域
暂无应用领域。