NP2016DR-N-G
IC
DFN-6L-B(2x2)
可供量大可议
NP2016DR-N-G
NP2016采用先进的沟槽技术， 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
natlinear
封装
DFN-6L-B(2x2)
库存
5,390
货期
现货
NP2016DR-N-G参数
| 封装 | DFN-6L-B(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | natlinear(南麟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5390 |
NP2016DR-N-G概述
NP2016采用先进的沟槽技术， 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
NP2016DR-N-G特性
暂无产品特性。
NP2016DR-N-G应用领域
暂无应用领域。