NP12N10G-Y-G
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NP12N10G-Y-G
NP12N10G采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 它可用于多种应用场景。
品牌
natlinear
封装
TO-252-2L
库存
1,875
货期
现货
NP12N10G-Y-G参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | natlinear(南麟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1875 |
NP12N10G-Y-G概述
NP12N10G采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 它可用于多种应用场景。
NP12N10G-Y-G特性
暂无产品特性。
NP12N10G-Y-G应用领域
暂无应用领域。