NM8205E
IC
ESOT-26
可供量大可议
NM8205E
特性：20V， 5A。 RDS(ON)<26mΩ @ VGS=4.5V。 RDS(ON)<26mΩ @ VGS=2.5V。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。 应用：负载开关。 PWM应用
品牌
晶导微电子
封装
ESOT-26
库存
40
货期
现货
NM8205E参数
| 封装 | ESOT-26 |
|---|---|
| 品牌 | 晶导微电子 |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
NM8205E概述
特性：20V， 5A。 RDS(ON)<26mΩ @ VGS=4.5V。 RDS(ON)<26mΩ @ VGS=2.5V。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。 应用：负载开关。 PWM应用
NM8205E特性
暂无产品特性。
NM8205E应用领域
暂无应用领域。