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NLV14175BDR2G
IC

SOIC-16

可供量大可议

NLV14175BDR2G

MC14175B 四路 D 型触发器采用一个单片结构, 使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件进行构造。 四个触发器中的每一个都是由公用时钟输入 (C) 触发的上升沿。 有效低电平重置输入 (R) 异步重置所有触发器。 每个触发器都具有独立的数据 (D) 输入和互补输出(Q 和 Qbar)。 这些器件可用作移位寄存器元件, 或用于计数器和切换应用的 T 型触发器。

品牌

onsemi

封装

SOIC-16

库存

3

货期

现货

NLV14175BDR2G参数

封装SOIC-16
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类触发器
库存3

NLV14175BDR2G概述

MC14175B 四路 D 型触发器采用一个单片结构, 使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件进行构造。 四个触发器中的每一个都是由公用时钟输入 (C) 触发的上升沿。 有效低电平重置输入 (R) 异步重置所有触发器。 每个触发器都具有独立的数据 (D) 输入和互补输出(Q 和 Qbar)。 这些器件可用作移位寄存器元件, 或用于计数器和切换应用的 T 型触发器。

NLV14175BDR2G特性

暂无产品特性。

NLV14175BDR2G应用领域

暂无应用领域。

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