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NLV14094BDR2G
自营可供
IC

SOIC-16

NLV14094BDR2G

MC14094B 组合了 8 级移位寄存器, 每级都带有一个数据锁存, 每个锁存有一个三态输出。 数据在正向时钟转换时进行移位, 从第七级移位到两个串行输出。 QS 输出数据用于高速级联系统。 QS 输出数据在下一个负向时钟转换时发生移位, 用于低速级联系统。 来自移位寄存器每级的数据在选通输入的负向转换时进行锁存。 选通处于高电平时, 数据通过该锁存进行传播。 八个数据锁存的输出由三态缓冲器控制, 这些缓冲器由输出启用上的逻辑低电平置于高阻抗状态。

品牌

onsemi

封装

SOIC-16

交期

现货

批次

—

NLV14094BDR2G参数

封装SOIC-16
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
时钟频率(fc)6MHz
系列NLV
传播延迟(tpd)135ns@15V, 50pF
灌电流(IOL)0.51mA
工作温度-55℃~+125℃
商品名称NLV14094BDR2G
包装方式编带
商品类型移位寄存器
分类移位寄存器
库存200
功能串行至并行
输出类型三态
耗散功率(Pd)500mW
分辨率(位)8
拉电流(IOH)2.4mA
功能特性输出使能
商品型号NLV14094BDR2G
单位个
商品重量0.000284

NLV14094BDR2G概述

MC14094B 组合了 8 级移位寄存器, 每级都带有一个数据锁存, 每个锁存有一个三态输出。 数据在正向时钟转换时进行移位, 从第七级移位到两个串行输出。 QS 输出数据用于高速级联系统。 QS 输出数据在下一个负向时钟转换时发生移位, 用于低速级联系统。 来自移位寄存器每级的数据在选通输入的负向转换时进行锁存。 选通处于高电平时, 数据通过该锁存进行传播。 八个数据锁存的输出由三态缓冲器控制, 这些缓冲器由输出启用上的逻辑低电平置于高阻抗状态。

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