NLAS2750MUTAG-HXY
IC
QFN-14(1.4x1.8)
可供量大可议
NLAS2750MUTAG-HXY
该模拟开关/多路复用器采用单刀双掷（SPDT）拓扑结构， 集成两个独立可控通道， 适用于多种信号切换与路由控制场景。 器件支持1.5V至5.5V宽电压工作范围， 具备良好的电源适应性。 导通电阻典型值为1.5Ω， 可有效减少信号传输过程中的衰减与失真。 凭借低功耗设计和高信号完整性表现， 广泛用于消费类电子产品、便携式设备及通信模块中的模拟或数字信号管理电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
QFN-14(1.4x1.8)
库存
110
货期
现货
NLAS2750MUTAG-HXY参数
| 封装 | QFN-14(1.4x1.8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 模拟开关/多路复用器 |
|---|---|
| 库存 | 110 |
NLAS2750MUTAG-HXY概述
该模拟开关/多路复用器采用单刀双掷（SPDT）拓扑结构， 集成两个独立可控通道， 适用于多种信号切换与路由控制场景。 器件支持1.5V至5.5V宽电压工作范围， 具备良好的电源适应性。 导通电阻典型值为1.5Ω， 可有效减少信号传输过程中的衰减与失真。 凭借低功耗设计和高信号完整性表现， 广泛用于消费类电子产品、便携式设备及通信模块中的模拟或数字信号管理电路中。
NLAS2750MUTAG-HXY特性
暂无产品特性。
NLAS2750MUTAG-HXY应用领域
暂无应用领域。