NJVMJD350T4G
IC
DPAK
可供量大可议
NJVMJD350T4G
NJVMJD350T4G
品牌
onsemi
封装
DPAK
库存
100
货期
现货
NJVMJD350T4G参数
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 特征频率(fT) | 10MHz |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V |
| 商品型号 | NJVMJD350T4G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000418 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 300V |
| 直流电流增益(hFE) | 30 |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100uA |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 商品名称 | NJVMJD350T4G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 三极管(BJT) |
NJVMJD350T4G概述
NJVMJD350T4G
NJVMJD350T4G特性
暂无产品特性。
NJVMJD350T4G应用领域
暂无应用领域。