NIV1161MTTAG
IC
WDFN-6(2x2)
可供量大可议
NIV1161MTTAG
NIS/NIV1161旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响， 并防止其与汽车电池发生短路。 超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案， 而低导通电阻（RDS(on)）场效应晶体管（FET）可限制信号线上的失真。 直插式封装便于进行印刷电路板（PCB）布局， 并能实现匹配的走线长度， 这对于维持诸如通用串行总线（USB）和低压差分信号（LVDS）协议等高速差分线之间的恒定阻抗至关重要
品牌
onsemi
封装
WDFN-6(2x2)
库存
71
货期
现货
NIV1161MTTAG参数
| 封装 | WDFN-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 71 |
NIV1161MTTAG概述
NIS/NIV1161旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响， 并防止其与汽车电池发生短路。 超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案， 而低导通电阻（RDS(on)）场效应晶体管（FET）可限制信号线上的失真。 直插式封装便于进行印刷电路板（PCB）布局， 并能实现匹配的走线长度， 这对于维持诸如通用串行总线（USB）和低压差分信号（LVDS）协议等高速差分线之间的恒定阻抗至关重要
NIV1161MTTAG特性
暂无产品特性。
NIV1161MTTAG应用领域
暂无应用领域。