NIF9N05CLT1G-VB
IC
SOT-223
可供量大可议
NIF9N05CLT1G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要小功率场效应管的应用场景， 例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。 SOT223； N—Channel沟道, 60V； 4.5A； RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
品牌
VBsemi
封装
SOT-223
库存
15
货期
现货
NIF9N05CLT1G-VB参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
NIF9N05CLT1G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要小功率场效应管的应用场景， 例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。 SOT223； N—Channel沟道, 60V； 4.5A； RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
NIF9N05CLT1G-VB特性
暂无产品特性。
NIF9N05CLT1G-VB应用领域
暂无应用领域。