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NI009TFG
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IC

DFN-8(5x6)

NI009TFG

SGT工艺/N管/150V/90A/9MΩ(典型7.8MΩ)

品牌

DOINGTER

封装

DFN-8(5x6)

交期

现货

批次

—

NI009TFG参数

封装DFN-8(5x6)
品牌DOINGTER(杜因特)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)150V
耗散功率(Pd)138W
栅极电荷量(Qg)30nC@10V
反向传输电容(Crss)23pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号NI009TFG
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)
分类场效应管(MOSFET)
库存5000
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))7.8mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)2.1nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)619pF
商品名称NI009TFG
封装DFN5x6-8
单位个
商品重量0.00022198

NI009TFG概述

SGT工艺/N管/150V/90A/9MΩ(典型7.8MΩ)

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