库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
NHPJ08S600G-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

NHPJ08S600G-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.4V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)达60A。 其基于碳化硅材料的结构在高频工作条件下可显著降低开关损耗, 并具备优异的热稳定性。 适用于对效率、体积和动态性能有较高要求的电源转换系统, 尤其适合用于高频率整流及同步续流等电路拓扑中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

24

货期

现货

NHPJ08S600G-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

NHPJ08S600G-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.4V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)达60A。 其基于碳化硅材料的结构在高频工作条件下可显著降低开关损耗, 并具备优异的热稳定性。 适用于对效率、体积和动态性能有较高要求的电源转换系统, 尤其适合用于高频率整流及同步续流等电路拓扑中。

NHPJ08S600G-HXY特性

暂无产品特性。

NHPJ08S600G-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件