NHPJ08S600G-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
NHPJ08S600G-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.4V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)达60A。 其基于碳化硅材料的结构在高频工作条件下可显著降低开关损耗, 并具备优异的热稳定性。 适用于对效率、体积和动态性能有较高要求的电源转换系统, 尤其适合用于高频率整流及同步续流等电路拓扑中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
24
货期
现货
NHPJ08S600G-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
NHPJ08S600G-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.4V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)达60A。 其基于碳化硅材料的结构在高频工作条件下可显著降低开关损耗, 并具备优异的热稳定性。 适用于对效率、体积和动态性能有较高要求的电源转换系统, 尤其适合用于高频率整流及同步续流等电路拓扑中。
NHPJ08S600G-HXY特性
暂无产品特性。
NHPJ08S600G-HXY应用领域
暂无应用领域。
