NHP260SFT3G-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
NHP260SFT3G-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为1A, 最大反向重复电压VR达600V。 其正向压降VF为1.7V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流IR仅为5μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流场合, 能在高频工作条件下保持稳定性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
2,770
货期
现货
NHP260SFT3G-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 通用二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2770 |
NHP260SFT3G-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为1A, 最大反向重复电压VR达600V。 其正向压降VF为1.7V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流IR仅为5μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流场合, 能在高频工作条件下保持稳定性能。
NHP260SFT3G-HXY特性
暂无产品特性。
NHP260SFT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
