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NHP260SFT3G-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

NHP260SFT3G-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为1A, 最大反向重复电压VR达600V。 其正向压降VF为1.7V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流IR仅为5μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流场合, 能在高频工作条件下保持稳定性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

2,770

货期

现货

NHP260SFT3G-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类通用二极管
库存2770

NHP260SFT3G-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为1A, 最大反向重复电压VR达600V。 其正向压降VF为1.7V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流IR仅为5μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流场合, 能在高频工作条件下保持稳定性能。

NHP260SFT3G-HXY特性

暂无产品特性。

NHP260SFT3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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