NGTG35N65FL2WG-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
NGTG35N65FL2WG-HXY
该IGBT管/模块具备40A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 适用于较高功率场景下的电流与电压需求。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V, 有助于降低导通损耗, 提高系统效率。 内置二极管可支持40A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.8V, 表现出良好的续流能力与热稳定性。 该器件适合用于需要高效能开关操作及稳定性能的应用环境, 提供可靠的能量传输解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
16
货期
现货
NGTG35N65FL2WG-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 16 |
NGTG35N65FL2WG-HXY概述
该IGBT管/模块具备40A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 适用于较高功率场景下的电流与电压需求。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V, 有助于降低导通损耗, 提高系统效率。 内置二极管可支持40A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.8V, 表现出良好的续流能力与热稳定性。 该器件适合用于需要高效能开关操作及稳定性能的应用环境, 提供可靠的能量传输解决方案。
NGTG35N65FL2WG-HXY特性
暂无产品特性。
NGTG35N65FL2WG-HXY应用领域
暂无应用领域。
