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NGTG35N65FL2WG-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

NGTG35N65FL2WG-HXY

该IGBT管/模块具备40A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 适用于较高功率场景下的电流与电压需求。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V, 有助于降低导通损耗, 提高系统效率。 内置二极管可支持40A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.8V, 表现出良好的续流能力与热稳定性。 该器件适合用于需要高效能开关操作及稳定性能的应用环境, 提供可靠的能量传输解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

16

货期

现货

NGTG35N65FL2WG-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存16

NGTG35N65FL2WG-HXY概述

该IGBT管/模块具备40A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces), 适用于较高功率场景下的电流与电压需求。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V, 有助于降低导通损耗, 提高系统效率。 内置二极管可支持40A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.8V, 表现出良好的续流能力与热稳定性。 该器件适合用于需要高效能开关操作及稳定性能的应用环境, 提供可靠的能量传输解决方案。

NGTG35N65FL2WG-HXY特性

暂无产品特性。

NGTG35N65FL2WG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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