NGTB40N120FL2WG-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
NGTB40N120FL2WG-HXY
本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces), 适用于中高功率电力电子设备。 其集射极饱和电压(VCE(sat))典型值为1.7V, 有效降低导通损耗, 提升系统效率。 内置续流二极管支持40A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的反向恢复特性。 该器件适合应用于高性能电源转换系统, 如智能电网设备、高效能变频器及精密电机控制模块, 满足对稳定性和耐压能力有较高要求的电路设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
18
货期
现货
NGTB40N120FL2WG-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 18 |
NGTB40N120FL2WG-HXY概述
本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces), 适用于中高功率电力电子设备。 其集射极饱和电压(VCE(sat))典型值为1.7V, 有效降低导通损耗, 提升系统效率。 内置续流二极管支持40A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的反向恢复特性。 该器件适合应用于高性能电源转换系统, 如智能电网设备、高效能变频器及精密电机控制模块, 满足对稳定性和耐压能力有较高要求的电路设计需求。
NGTB40N120FL2WG-HXY特性
暂无产品特性。
NGTB40N120FL2WG-HXY应用领域
暂无应用领域。
