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NGTB40N120FL2WG-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

NGTB40N120FL2WG-HXY

本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces), 适用于中高功率电力电子设备。 其集射极饱和电压(VCE(sat))典型值为1.7V, 有效降低导通损耗, 提升系统效率。 内置续流二极管支持40A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的反向恢复特性。 该器件适合应用于高性能电源转换系统, 如智能电网设备、高效能变频器及精密电机控制模块, 满足对稳定性和耐压能力有较高要求的电路设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

18

货期

现货

NGTB40N120FL2WG-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存18

NGTB40N120FL2WG-HXY概述

本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces), 适用于中高功率电力电子设备。 其集射极饱和电压(VCE(sat))典型值为1.7V, 有效降低导通损耗, 提升系统效率。 内置续流二极管支持40A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的反向恢复特性。 该器件适合应用于高性能电源转换系统, 如智能电网设备、高效能变频器及精密电机控制模块, 满足对稳定性和耐压能力有较高要求的电路设计需求。

NGTB40N120FL2WG-HXY特性

暂无产品特性。

NGTB40N120FL2WG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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