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NGTB40N120FL2WG
IC

TO-247

可供量大可议

NGTB40N120FL2WG

MOS场效应管 NGTB40N120FL2WG TO-247

品牌

ON

封装

TO-247

库存

73

货期

现货

NGTB40N120FL2WG参数

封装TO-247
品牌ON(安森美)
批次25+
耗散功率(Pd)267W
集电极电流(Ic)40A
栅极阈值电压(Vge(th))4.5V@400uA
输入电容(Cies)7.385nF
反向传输电容(Cres)140pF
关断延迟时间(Td(off))286ns
关断损耗(Eoff)1.1mJ
工作温度-55℃~+175℃
分类IGBT管/模块
库存73
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集射极饱和电压(VCE(sat))2.4V@40A, 15V
栅极电荷量(Qg)315nC@15V
输出电容(Coes)230pF
开启延迟时间(Td(on))116ns
导通损耗(Eon)3.4mJ
反向恢复时间(Trr)240ns

NGTB40N120FL2WG概述

MOS场效应管 NGTB40N120FL2WG TO-247

NGTB40N120FL2WG特性

暂无产品特性。

NGTB40N120FL2WG应用领域

暂无应用领域。

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