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NGTB30N135IHRWG-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

NGTB30N135IHRWG-HXY

该IGBT模块具有30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces), 适用于较高电压等级的功率应用环境。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 有效控制导通损耗。 内置续流二极管支持30A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 提升系统能效表现。 模块设计符合标准封装规范, 便于安装与散热管理, 适用于电源变换、电机控制等高性能电力电子系统方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

14

货期

现货

NGTB30N135IHRWG-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存14

NGTB30N135IHRWG-HXY概述

该IGBT模块具有30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces), 适用于较高电压等级的功率应用环境。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 有效控制导通损耗。 内置续流二极管支持30A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 提升系统能效表现。 模块设计符合标准封装规范, 便于安装与散热管理, 适用于电源变换、电机控制等高性能电力电子系统方案。

NGTB30N135IHRWG-HXY特性

暂无产品特性。

NGTB30N135IHRWG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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