NGTB30N135IHRWG-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
NGTB30N135IHRWG-HXY
该IGBT模块具有30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces), 适用于较高电压等级的功率应用环境。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 有效控制导通损耗。 内置续流二极管支持30A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 提升系统能效表现。 模块设计符合标准封装规范, 便于安装与散热管理, 适用于电源变换、电机控制等高性能电力电子系统方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
14
货期
现货
NGTB30N135IHRWG-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 14 |
NGTB30N135IHRWG-HXY概述
该IGBT模块具有30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces), 适用于较高电压等级的功率应用环境。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 有效控制导通损耗。 内置续流二极管支持30A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 提升系统能效表现。 模块设计符合标准封装规范, 便于安装与散热管理, 适用于电源变换、电机控制等高性能电力电子系统方案。
NGTB30N135IHRWG-HXY特性
暂无产品特性。
NGTB30N135IHRWG-HXY应用领域
暂无应用领域。
